Numéro de produit du fabricant:
TSM650P02CX RFG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM650P02CX RFG-DG
Description:
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventaire:
70113 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12899597
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SOUMETTRE
TSM650P02CX RFG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
515 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.56W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
TSM650
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
TSM650P02CX RFGCT
TSM650P02CXRFGCT
TSM650P02CX RFGDKR
TSM650P02CXRFGTR
TSM650P02CXRFGDKR
TSM650P02CX RFGCT-DG
TSM650P02CX RFGDKR-DG
TSM650P02CX RFGTR
TSM650P02CX RFGTR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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